官宣！台积电对美投资增至2650亿美元，再建4座晶圆厂 ...

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7月16日，晶圆代工大厂台积电召开了2026年二季度法人说明会。Q2业绩超预期，净利同比大涨77.4%创历史新高，2nm制程也已开始贡献营收。台积电还宣布上调全年营收和资本支出，并回应了与三星和英特尔的竞争、先进封装、涨价等议题。更令人瞩目的是，台积电正式宣布对美国追加1000亿美元投资，使其在美国的总投资额将达2650亿美元。
Q2净利同比大涨77.4%
合并营收约新台币12,703.8亿元，同比增长36%，环比增长12%；毛利率67.7%，高于预期的65.5%至67.5%；营业利益率60.3%，同样优于预期的56.5%至58.5%；税后净利润约新台币7,065.6亿元，同比大涨77.4%，环比增长23.4%，创下历史新高；每股收益约新台币27.25元（折合美国存托凭证每单位为4.31美元），同比大涨77.4%。


如果以美元计算，台积电第二季营收为402亿元，同比增长33.7%，环比增长12.0%；毛利率为67.7%；营业利润率为60.3%；税后净利润率为55.6%。
台积电累计上半年营收达新台币24,044.84亿元，同比增长35.6%; 毛利率为67%，同比提升8.3个百分点；归属母公司净利润为新台币12,790.42亿元，同比大涨68.3%；每股收益新台币49.32元。
从各制程工艺的营收占比来看，2nm占比约3%、3nm占比30%、5nm占比33%、7nm占比11%，7nm及以下先进制程合计占比达77%。


从应用领域来看，HPC营收环比增长20%，在总营收当中的占比高达66%；智能手机营收环比下滑4%，在总营收当中占比为22%；IoT营收环比增长4%，在总营收当中占比为5%；汽车相关营收环比增长15%，在总营收当中占比为4%；DCE营收环比增长5%，在总营收当中占比为1%；其他应用营收环比增长5%，在总营收当中占比为2%。


第三季营收或达458亿美元
台积电预计，第三季营收以美元计算约为446-458亿美元，其中间值环比增长12%，毛利率介于65-67%、营业利润率介于56-58%，汇率假设基础为1美元兑32新台币。
台积电财务长黄仁昭表示，第三季毛利率环比减少，是因为2nm量产初期导致的毛利稀释。
全年美元营收增长将超40%
针对全年的营收目标，台积电在今年4月一季度法说会上就已经将今年的美元营收增长目标上调至超越30%。而在此次的二季度法说会上，台积电又进一步将全年营收增长目标上调至“微幅超过40%”。
魏哲家表示，虽然零组件价格上涨及总体经济不确定性，可能为价格敏感的消费性电子产品市场带来挑战，但是AI需求强劲，客户及客户的客户释出强烈信号和正面展望，预期台积电今年美元营收年成长率有望微幅超过40%。
今年资本支出上修至600-640亿美元
资本支出方面，台积电最新财报显示，今年一季度资本支出约111亿美元，第二季资本支出支约157亿美元。
为支持市场旺盛等需求，魏哲家在法说会上宣布，台积电将上修全年资本支出，预计将达600-640亿美元的历史新高。相比今年4月的一季度法说会上公布的“接近520亿至560亿美元上缘”的说法上修了约7%至14.3%。
魏哲家表示，上修资本支出为了支持客户的需求，多数用于先进制程投资所需。其中，代理型AI（Agentic AI）需求的强劲增长是推动本次上调的重要原因之一。
台积电首席财务官黄仁昭则指出，今年增加投入资本支出，为了掌握未来业务机会。只要有业务机会，台积电会毫不犹豫投资，对于人工智能AI未来长期趋势，抱持非常强烈信心，台积电正在加大资本支出。
对美国追加1000亿美元投资，再建4座晶圆厂
早在2020年台积电就宣布了在美国亚利桑那州投资120亿美元建厂计划，并于 2021 年 4 月开始在该地区建造首个晶圆制造厂。随后，台积电宣布将对美投资扩大至650亿美元，除了最初的晶圆一厂之外，还将建立两座晶圆厂。
2025年3月，台积电又宣布对美国追加1000亿美元投资，包含再建设三座新晶圆厂、两座先进封装设施，以及一个主要研发中心。这使得台积电对美国的总投资达到了1650亿美元。
目前，台积电亚利桑那州第一座4nm晶圆厂已经开始量产；第二座3nm晶圆厂，目前正在建设当中，预计于2027年量产。这两座晶圆厂达产后，合计将年产超过60万片晶圆；第三座晶圆厂已经开始破土动工，将生产2nm或更先进的制程技术，预计将在2029～2030年间量产。
不过，美国政府一直希望台积电继续扩大对美国的投资，并且特朗普政府甚至还不惜公开以关税作为威胁手段。
今年1月，中国台湾与美国达成贸易协议，美国对中国台湾关税降至15%，交换条件是中国台湾直接在美国境内项目投资2,500亿美元。但是台积电在美国拜登政府时期承诺的650亿美元，似乎不计入这2,500亿美元总额。当时外界就猜测，台积电将会追加对美国的投资额。
随后多位美国官员也对外透露，台积电将扩大对美国的投资。今年7月1日，美国总统特朗普在离开马里兰州安德鲁联合基地（Joint Base Andrews）前接受媒体采访时表示，台积电正将亚利桑那州在建晶圆厂的规模扩大一倍，并预测在其任期内美国芯片市占率有望达到50%。
在此次的台积电二季度法说会上，台积电董事长暨总裁魏哲家正式宣布，将在美国亚利桑那州追加1000亿美元投资，预计将再建置4座晶圆厂，以及先进封装厂，满足美国客户未来多年的强劲需求。此举将使台积电在美国的总投资额达到2650亿美元。
魏哲家表示，在美国主要客户及美国联邦、州和市政府的大力合作与支持下，将在亚利桑那州追加1000亿美元投资，用以建置更多2nm及以下制程的逻辑晶圆厂，以及先进封装工厂，以满足美国客户未来多年的强劲需求。这将有助于进一步促进美国半导体生态系统发展，强化供应链，并为美国产业创造更多就业机会。 至于相关进度将取决于市场状况。
对于具体的新建晶圆厂的数量，魏哲家回应说，在亚利桑那州追加1,000亿美元的投资，可以盖数个厂，可能会再建四个或更多晶圆厂。
黄仁昭补充称，加码美国投资基于客户需求高速成长以及美国官方大力支持，同时台积电在美国新厂一、二厂都已相当成功，一厂良率媲美台湾厂区。
彭博社采访的一位美国官员也表示，台积电新增的1000亿美元将用于建设四座芯片工厂，生产采用2nm制程或更先进制程技术的逻辑芯片，使台积电在美的晶圆制造厂最终达到10座，封装厂达到2座。这位官员说，具体视市场状况而定，台积电最终也可能调整为3座逻辑晶圆厂和1座封装厂，但未说明整体投资时间规划。
除了扩大美国的产能之外，台积电也将继续扩大在中国台湾的产能。魏哲家强调，台积电未来几年同时将在中国台湾建设13座先进制程晶圆厂，继续在中国台湾发展壮大。 台积电的技术和制造将持续协助客户实现创新。
从全球布局来看，台积电计划新建的3座3nm晶圆厂，1座位于中国台湾，1座位于美国亚历桑纳州，1座位于日本，以支持未来多年对3nm技术的强劲需求。此外，台积电还将在中国台湾改造原有的5nm厂，以支持3nm芯片生产。
不惧三星、英特尔竞争
目前三星电子和英特尔都在积极地发展尖端制程，以期在当前AI所需的先进制程产能供不应求的环境下，与台积电展开竞争。
三星晶圆代工业务自去年以来取得了不错的成果，不仅拿下特斯拉的AI芯片以及英伟达Gorq芯片代工大单，近期传闻Anthropic的自研AI芯片也将交由三星代工。
根据外资投行KeyBanc Capital Markets发布的最新研究报告也显示，英特尔最先进的Intel 18A制程良率已突破85%，晶圆代工业务也获得了苹果、AMD、英伟达、Marvell、微软、美光（应该是HBM逻辑芯粒）以及OpenAI等客户的晶圆代工设计订单（Foundry design win）。
面对三星和英特尔的挑战，魏哲家表示，台积电最重要的竞争优势包含技术、制造和客户信任，这三点在他30到40年的职业生涯中从未改变。 这始终是最重要的，也是台积电赢得业务的秘诀。而选择一项技术并将其量产也没有捷径可走，可不是像是去7-Eleven买瓶牛奶这么简单。
魏哲家幽默地指出：“没错。 我们在韩国的一个竞争对手赚了很多钱，我很羡慕。 然后，我们在美国的另一个竞争对手得到了美国政府的大力支持。 顺便说一句，我们也得到了政府的支持，虽然我们没有公开宣布。 但是，我想和你们分享一下，正如我们所说，选择技术合作伙伴，没有捷径可走。”
持续扩大先进封装产能，也乐见英特尔先进封装的成功
在AI热潮的驱动下，当前台积电的先进封装产能非常吃紧，不得不将部分工序外部给了日月光等外部封测厂。同时，这也使得部分客户转向了英特尔的EMIB-T等先进封装技术。
对此，魏哲家表示，整体来看封装产能非常吃紧，台积电非常努力缩短先进封装需求与产能之间的差距。同时，台积电也乐见更多厂商投入先进封装新技术，不仅提升市场的灵活度，也有助于台积电业务增长。他指出，先进封装是台积电业务的重要部分。
魏哲家说，根据媒体报导，（英特尔）相关先进封装技术看起来不错，台积电希望能够成功，可以分担台积电部分的产能负荷，也可让客户规划有更大的弹性。 他指出，台积电首要任务就是支持客户成功，凡是能协助客户业务成功的事，台积电都会去做。
High NA EUV是否导入量产，不能只看性能
7月15日，ASML宣布英特尔已在其最先进产品（代号为“Panther Lake”的英特尔 Core Ultra 3系列处理器）的批量制造中使用高数值孔径（High NA）EUV，意味着市场上英特尔的部分产品已采用 ASML High NA EUV系统生产。这一消息引发了市场的广泛关注。

相比之下，台积电在High NA EUV光刻机的导入上并不积极。此前台积电高管就曾明确表示，其A14制程都不会考虑采用High NA EUV光刻机。
魏哲家对此表示，High-NA EUV具备相当优异的效能，但是否正式导入量产，不能只看技术表现，还要同步评估设备成本、技术成熟度，以及曝光视野缩小后对制造流程带来的影响。
魏哲家解释称，High-NA EUV曝光视野仅有现有Low NA EUV设备的一半，大型芯片可能需要通过芯粒拼接方式完成曝光，可能提高制造复杂度，并进一步影响客户采用速度。
目前台积电已将High-NA曝光视野缩小至一半的问题，纳入整体制造成本与量产评估。魏哲家强调，High-NA本身是一项效能很好的工具，但台积电目前仍持续与ASML合作，希望进一步改善设备成本与技术成熟度，使其更符合大规模制造需求。
不会大幅涨价
近期业内消息显示，台积电已经通知客户，计划将3nm和5nm等尖端制程以及7nm制程的晶圆供应价格提高5%至10%。此外，台积电还计划于明年1月对成熟制程涨价。
魏哲家在此次的法说会上并未正面回应涨价传闻，仅表示台积电是一家非常值得客户信赖的公司（we are a very trustable company with our customer），虽然会反映自身技术与制造价值，但不会突然大幅涨价，甚至一次提高四倍、五倍，让客户无法在市场上生存。
魏哲家指出，台积电与客户是长期合作伙伴，公司的成功也建立在客户能够成功之上，因此不会为了追求短期获利而挤压客户。 台积电的定价原则，是取得应有的价值，同时维持足以支撑长期投资及持续扩产的毛利，这对台积电及客户都有利。
在谈及存储芯片厂商受益于“存储超级周期”，毛利率及获利持续飙升时，魏哲家也忍不住地直言，“真的很羡慕存储器公司的86%毛利率”。他笑着说，台积电不需要达到86%，“有68%，我就很高兴了”。
同时，魏哲家也重申，台积电最重要的原则仍是值得客户信赖，不会因市场供应吃紧便突然大幅调价，而是在客户能够持续成长的前提下，取得合理报酬并支撑公司长期扩产。
编辑：芯智讯-浪客剑